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2007 02 No.51 5-10+15
当代微电子技术和产业的发展趋势综述
基金项目(Foundation): 天津市高校科技发展基金资助项目(20060605)
邮箱(Email):
DOI:
中文作者单位:

天津工程师范学院电子工程系 天津300222

摘要(Abstract):

从集成电路(IC)设计、工艺、封装和测试等几方面,综述了以IC为核心的当代微电子技术和产业的主要发展趋势,探讨了这些领域所面临的诸多问题及其解决方案,并简要介绍了一些典型的纳米新器件及其应用。

关键词(KeyWords): 集成电路设计;;制造工艺;;封装;;测试;;成本;;微电子技术
参考文献

[1]曾宏,曾璇,闵昊.深亚微米下系统芯片的物理设计实例[J].微电子学,2005,35(6):634-638.

[2]LIN X W.Future interconnect technologies and coppermetallization[J].Solid State Technology,1998,41(10):63-79.

[3]LIN R,PAI C S,MARTINEZ E.Interconnect technologytrend for microelectronics[J].Solid-State Electronics,1999,43(6):1 003-1 009.

[4]GUTTMANN R J,CHAN K,GRAVES R J.Interconnecttechnology and design implications for future ASIC andsystem-on-a-chip(SOC)implementations[C]//IEEE/-SEMI.Advanced Semiconductor Manufacturing Confere-nce and Workshop.Boston,MA,USA:1999:164-167.

[5]PIERCE D G.Electromigration:A review[J].Micro-electronics Reliability,1997,37(7):1 053-1 072.

[6]WU K.Theory of electromigration failure in polycrystallinemetal films[J].Physical Review B,1994,50(17):12 468-12 487.

[7]沈理.VLSI芯片的可测性、可调试性、可制造性和可维护性设计[J].计算机工程与科学,2003,25(1):92-97.

[8]陆盘锋,魏少军.SoC设计方法学和可测性设计研究进展[J].微电子学,2004,34(3):235-240.

[9]胡平生.IBM研究院院士对“摩尔定律”提出新观点[J].半导体技术,2006,31(12):908-911.

[10]SEMATECH,ESIA,JEITA.International TechnologyRoadmap for Semiconductors[EB/OL].http://www.itrs.net/Links/2004Update/2004Update.Htm,(2004-05-24).

[11]翁寿松.90 nm工艺及其相关技术[J].微纳电子技术,2003,40(4):40-44.

[12]SETIAWAN Y,LEE P S,PEY K L,et al.Laser-inducedNi(Ti)silicide formation[J].Applied Physics Letters,2006,88(11):1-3.

[13]翁寿松.300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势[J].半导体技术,2004,29(1):27-30.

[14]宋登元,宗晓萍,孙荣霞,等.集成电路铜互连线及相关问题的研究[J].半导体技术,2001,26(1):29-32.

[15]谈颖莉,戎蒙恬.SOC芯片设计与测试[J].半导体技术,2004,29(6):64-68.

[16]翁寿松.65nm芯片设计和制造中的几个问题[J].微纳电子技术,2006,43(7):319-322.

[17]鲜飞.无铅焊料的新发展[J].电子与封装,2006,6(4):6-9.

[18]黄卓,杨俊,张力平,等.无铅焊接工艺及失效分析[J].电子元件与材料,2006,25(5):69-72.

[19]谢正光.集成电路测试相关标准研究与探讨[J].微电子学,2004,34(3):246-250.

[20]张永光,徐元欣,王匡.测试与可测试性设计发展的挑战[J].半导体技术,2005,30(2):33-36.

基本信息:

DOI:

中图分类号:TN4

引用信息:

[1]王光伟.当代微电子技术和产业的发展趋势综述[J].天津工程师范学院学报,2007,No.51(02):5-10+15.

基金信息:

天津市高校科技发展基金资助项目(20060605)

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引用

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